表1：SiC和Si、GaN的物理特性對(duì)比

比較功率器件不同材料的性能時(shí)，通常使用性能指數(shù)BFOM（Baliga’s Figure of merit）。BFOM與理想單極型器件的電阻成反比，可通過以下公式計(jì)算。

ε：介電常數(shù)；μ：遷移率；E_BD：擊穿場(chǎng)強(qiáng)；R：器件電阻；V_BD：器件的擊穿電壓；

由于BFOM與擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度的三次方成正比，而SiC的數(shù)值是Si的10倍，這有利于實(shí)現(xiàn)低電阻單極器件。根據(jù)表中數(shù)值，與Si相比，SiC單極性器件的電阻有可能降低至Si的1/667。此外，電阻與器件擊穿電壓的平方成正比，因此對(duì)于高耐壓（額定電壓），單極性器件的電阻會(huì)急劇增加。所以，使用Si材料來實(shí)現(xiàn)千伏級(jí)耐壓的單極性器件并不現(xiàn)實(shí)，因?yàn)殡娮柽^大，但可以通過使用SiC來實(shí)現(xiàn)。SiC器件的主要目標(biāo)就在中高壓領(lǐng)域，三菱電機(jī)率先使用SiC實(shí)現(xiàn)了千伏級(jí)單極性器件，為包括鐵路牽引系統(tǒng)在內(nèi)的許多電力電子系統(tǒng)帶來了革新。

關(guān)于SiC物理特性的各向異性，在制造器件時(shí)需要考慮幾個(gè)問題。4H-SiC的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度在（0001）方向（襯底厚度方向）的值比其他方向大。對(duì)于體電子遷移率，（0001）方向也比其他方向大。另一方面，比較采用SiC各晶面制造的MOS結(jié)構(gòu)的溝道遷移率，（0001）面的值較小，而垂直于（0001）面的值較大，這意味著，與在（0001）面制造的平面柵MOS相比，溝槽柵MOS的溝道電阻更低。

存在于SiC MOS界面的載流子捕獲，它是SiC MOSFET特性不穩(wěn)定和經(jīng)時(shí)變化的原因，目前改善措施正在進(jìn)行中。三菱電機(jī)已開發(fā)出一種可提高穩(wěn)定性的MOS界面形成方法，實(shí)現(xiàn)了MOS特性的穩(wěn)定性。

熱氧化膜的生長速度也因晶面的不同而存在很大差異，例如，（000-1）面的氧化速度約為（0001）面的10倍。在器件制造過程中，需考慮到氧化速度的各向異性，并根據(jù)結(jié)構(gòu)對(duì)制造工藝做出相應(yīng)的處理。

寬禁帶半導(dǎo)體通常難以實(shí)現(xiàn)兩種導(dǎo)電方式，要么p型導(dǎo)電，要么n型導(dǎo)電。盡管SiC是一種寬禁帶半導(dǎo)體，但它是少數(shù)幾種可制造出p型和n型高載流子濃度的材料之一。通常，用于n型半導(dǎo)體導(dǎo)電性控制的摻雜是V族元素的氮、磷，而用于p型半導(dǎo)體導(dǎo)電性控制的摻雜是III族元素的鋁、硼。關(guān)于硼，由于受主能級(jí)較深，無法獲得低電阻p型半導(dǎo)體，因此常用在保持器件耐壓的終端區(qū)域。此外，與Si等材料相比，由于SiC的晶體結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，摻雜原子取代的位置不同會(huì)導(dǎo)致形成的能級(jí)不同。在推導(dǎo)載流子遷移率、估算電阻值的溫度依賴性等方面，嚴(yán)格來說需要考慮這一點(diǎn)，但在估算器件特性時(shí)，使用平均值并沒有問題。

SiC作為功率器件材料的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其熱導(dǎo)率高（約為Si的3倍）。這一優(yōu)勢(shì)得益于SiC原子間距短、鍵合力強(qiáng)，有助于降低器件工作時(shí)的最高溫度。此外，即使在高達(dá)800℃的溫度下，SiC仍能保持其半導(dǎo)體特性。目前，除SiC外的其他材料，使用溫度的上限受到限制，仍在繼續(xù)開發(fā)中。

另外，在將SiC應(yīng)用于功率芯片時(shí)，需考慮SiC材料的特性，其楊氏模量較大（約為Si的3倍），是一種非常硬的材料，因此受溫度循環(huán)等因素產(chǎn)生的應(yīng)力可能會(huì)非常大，這可能成為決定器件壽命的主要因素。

文章來源：艾邦半導(dǎo)體