功率半導(dǎo)體全景分析...

SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個(gè)長時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經(jīng)過多個(gè)加工工藝制成晶圓......

IGBT 的短路耐受時(shí)間（SCWT）...

IGBT 模塊裝配的插針技術(shù)...

Yole＆PCIM：功率半導(dǎo)體革命——變革與趨勢(shì)...

為什么SiC器件還沒能取代IGBT？...

新基建時(shí)代，碳化硅在六大領(lǐng)域的典型應(yīng)用...

IGBT如何選擇，你真的了解嗎？...