IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）作為一種重要的功率半導體器件，在電力電子領域具有廣泛應用。其核心部分就是由硅晶圓制成的芯片。然而，通常情況下，晶圓的初始厚度可能并不符合設計要求，因此需要通過減薄工藝來實現最終所需的厚度。
一、減薄原因
首先，IGBT器件的設計規(guī)格通常會明確規(guī)定晶圓的厚度范圍。較薄的晶圓可以提供更低的導通電阻和更短的關斷時間，從而提高器件的性能和效率。
晶圓的厚度對芯片的電性能有直接影響。在IGBT中，晶圓的厚度會影響導通電阻、漏電流和擊穿電壓等關鍵參數。通過減薄可以使得這些參數達到設計要求，以確保器件的可靠性和穩(wěn)定性。
IGBT芯片在工作過程中會產生較大的功耗，需要有效地散熱來保持溫度在可控范圍內。通過減薄晶圓可以降低芯片與散熱器之間的熱阻，提高熱傳導效率，從而改善熱管理能力。
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化學機械拋光是另一種常用的晶圓減薄方法。它結合了化學溶解和機械研磨的特點，通過在拋光液體中加入研磨粒子，使晶圓表面得到均勻的研磨和化學腐蝕，從而實現減薄。CMP可以提供更高的控制精度和表面質量，但同時也需要更復雜的設備和工藝控制。
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三、減薄工藝流程
1. 厚度測量：在減薄過程中，使用精密的厚度測量設備監(jiān)控晶圓厚度變化。常用測量方法包括光學干涉、干涉儀和X射線反射等。這些測量技術可以提供高精度的晶圓厚度數據，以指導后續(xù)的減薄步驟。
2. 掩膜保護：在進行減薄之前，需要對晶圓表面進行掩膜保護。通常采用光刻工藝，在晶圓表面涂覆光刻膠，并通過曝光和顯影形成保護層。這一步驟的目的是防止減薄過程中引入額外的損傷或污染。
3. 粗研磨/粗拋光：在減薄過程的開始階段，采用較大顆粒的研磨粉末或拋光液進行粗研磨或粗拋光。通過逐漸去除晶圓的材料，實現初步的厚度減薄。
4. 清洗和檢查：在粗研磨/粗拋光后，對晶圓進行徹底的清洗，以去除殘留的研磨或拋光液、掩膜膠等。然后進行檢查，確保晶圓表面沒有明顯的損傷或缺陷。
5. 精研磨/精拋光：在粗研磨/粗拋光之后，采用更細的研磨粉末或拋光液進行精研磨或精拋光。這一步驟旨在進一步減薄晶圓并改善表面的平整度和光潔度。
6. 二次清洗和檢查：在精研磨/精拋光完成后，再次對晶圓進行徹底的清洗，以確保表面干凈無污染。然后進行嚴格的檢查，以確認晶圓是否滿足規(guī)定的厚度和表面質量要求。
7. 防靜電處理：由于晶圓在減薄過程中可能積累靜電電荷，需要進行防靜電處理。這可以通過將晶圓放置在特殊的電離棒上進行消除，或者使用適當的防靜電設備和工藝措施來實現。
8. 最后清洗和干燥：在減薄工藝的最后階段，對晶圓進行最后一次清洗，確保表面無任何污染物。然后使用氮氣或其他合適的方法進行干燥，以避免水分殘留。
IGBT晶圓減薄是實現器件設計規(guī)格和性能優(yōu)化的關鍵步驟。通過采用機械研磨或化學機械拋光等常用方法，并結合精確的工藝控制和厚度測量，可以實現對晶圓厚度的精確控制。
來源：穎特芯科技、艾邦半導體
