Yole報告 ：2023-2029年功率模塊封裝材料市場規(guī)模將翻倍，達43億美元...

功率半導體全景分析...

團結(jié)協(xié)作，高效運行丨常州科瑞爾2024中高層團建活動圓滿落幕！...

SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經(jīng)過多個加工工藝制成晶圓......

IGBT 的短路耐受時間（SCWT）...

IGBT 模塊裝配的插針技術(shù)...

Yole＆PCIM：功率半導體革命——變革與趨勢...

為什么SiC器件還沒能取代IGBT？...